TTH0512M-1T - Driver IGBT/SiC (1W)
TTH0512M-1T de la serie QA-R3 Series. Potencia: 1W, Salida: 1 VDC, Eficiencia: SMD%, Aislamiento: E41429.
TTH0512M-1T Especificaciones
| Potencia | 1W |
|---|---|
| Entrada | 5(4.5-5.5) VAC / 12 VDC |
| Salida | 1 VDC |
| Corriente de salida | 5000VAC/6000VDC |
| Eficiencia | SMD% |
| Aislamiento | E41429 |
Características - QA-R3 Series
- 5000VAC high isolation voltage (reinforced insulation)
- Continuous barrier withstand voltage 1700V
- CMTI >200kV/µs
- Max. capacitive load: 2200µF
- Ultra-low isolation capacitance: 3.5pF (typ.)
- Operating temperature -40°C to +105°C
Acerca de QA-R3 Series
El TTH0512M-1T es parte de la serie QA-R3 Series de Driver IGBT/SiC. IGBT and SiC gate driver modules with up to 1700V drive capability and high isolation voltage. Este modelo ofrece 1W de potencia de salida con 1 VDC de voltaje de salida, alcanzando SMD% de eficiencia y E41429 de voltaje de aislamiento.
Aplicaciones
- Automatización industrial y sistemas de control
- Máquinas CNC y equipos de fabricación
- Automatización de edificios y sistemas HVAC
- Infraestructura de telecomunicaciones y comunicación de datos
- Red eléctrica y sistemas de gestión de energía