TTH0515M-1T - Driver IGBT/SiC (1W)
TTH0515M-1T de la série QA-R3 Series. Puissance: 1W, Sortie: 1 VDC, Efficacité: SMD%, Isolement: E41429.
TTH0515M-1T Spécifications
| Puissance | 1W |
|---|---|
| Entrée | 5(4.5-5.5) VAC / 15 VDC |
| Sortie | 1 VDC |
| Courant de sortie | 5000VAC/6000VDC |
| Efficacité | SMD% |
| Isolement | E41429 |
Caractéristiques - QA-R3 Series
- 5000VAC high isolation voltage (reinforced insulation)
- Continuous barrier withstand voltage 1700V
- CMTI >200kV/µs
- Max. capacitive load: 2200µF
- Ultra-low isolation capacitance: 3.5pF (typ.)
- Operating temperature -40°C to +105°C
À propos de QA-R3 Series
Le TTH0515M-1T fait partie de la série QA-R3 Series de Driver IGBT/SiC. IGBT and SiC gate driver modules with up to 1700V drive capability and high isolation voltage. Ce modèle délivre 1W de puissance de sortie avec 1 VDC de tension de sortie, atteignant SMD% d'efficacité et E41429 de tension d'isolement.
Applications
- Automatisation industrielle et systèmes de contrôle
- Machines CNC et équipements de fabrication
- Automatisation des bâtiments et systèmes HVAC
- Infrastructure télécom et de communication de données
- Réseau électrique et systèmes de gestion d'énergie