TSHT5.8-01 - IGBT/SiC-драйвер (≤1W)
TSHT5.8-01 из серии QA-R3 Series. Мощность: ≤1W, Выход: 1 VDC, КПД: SMD%, Изоляция: 2kVDC.
TSHT5.8-01 Характеристики
| Мощность | ≤1W |
|---|---|
| Вход | 5 VAC / 5 VDC |
| Выход | 1 VDC |
| Выходной ток | 3000 |
| КПД | SMD% |
| Изоляция | 2kVDC |
Ключевые особенности - QA-R3 Series
- 5000VAC high isolation voltage (reinforced insulation)
- Continuous barrier withstand voltage 1700V
- CMTI >200kV/µs
- Max. capacitive load: 2200µF
- Ultra-low isolation capacitance: 3.5pF (typ.)
- Operating temperature -40°C to +105°C
О QA-R3 Series
TSHT5.8-01 — часть серии QA-R3 Series (IGBT/SiC-драйвер). IGBT and SiC gate driver modules with up to 1700V drive capability and high isolation voltage. Эта модель обеспечивает ≤1W выходной мощности при 1 VDC выходном напряжении, достигая SMD% КПД и 2kVDC напряжения изоляции.
Применение
- Промышленная автоматизация и системы управления
- Станки с ЧПУ и производственное оборудование
- Автоматизация зданий и системы HVAC
- Инфраструктура телекоммуникаций и передачи данных
- Энергосети и системы управления энергией